商品名稱:傳感器信號調(diào)節(jié)器
品牌:Renesas
年份:25+
封裝:WAFER
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
RAA2S4263B5HWT器件是一款汽車壓力傳感器信號調(diào)理芯片,專為差分橋式傳感器信號處理設(shè)計,支持 SENT 或 I2C 輸出。它采用高精度模擬前端放大和傳感器零漂校正技術(shù),適用于幾乎所有電阻電橋傳感器。此外,RAA2S4263B5HWT具備過壓、反極性保護及電磁兼容性設(shè)計,適應(yīng)汽車嚴(yán)苛環(huán)境。
主要特性
根據(jù) ISO 26262:2018 ASIL C 標(biāo)準(zhǔn)開發(fā)的產(chǎn)品
差分電阻橋式傳感器輸入,帶可選的片上或外部溫度傳感器 – PTC、NTC、PN 結(jié)和傳感器橋橋租測溫
1mV/V 至 800mV/V 傳感器量程,分辨率為 12 至 18 位
補償電阻橋傳感器輸入信號的零漂、增益和高階非線性和溫度系數(shù)
精度:
-40 °C 至 +125 °C 時為 0.25%%FS
-40 °C 至 +155 °C 時為 0.5%%FS
在最快模式下,內(nèi)部輸出更新速率高達 200μs
符合 SENT 標(biāo)準(zhǔn) SAE J2716 Rev. 4 (APR2016),tick時間擴展至 1μs,從而 SENT 輸出時間為 282μs(兩個快速通道)
截止頻率為 10Hz 至 1000Hz 的三階數(shù)字 LPF
快速校準(zhǔn):一次性下線校準(zhǔn)算法可最大限度地降低生產(chǎn)成本
最少的外部元件數(shù)量使傳感器模塊的設(shè)計具有一流的外形尺寸
符合 AEC-Q100 0 級要求
工作溫度范圍為 -40 °C 至 +155 °C,且最長可 100 小時至 +165 °C
典型應(yīng)用
RAA2S4263B5HWT芯片主要用于新能源汽車的發(fā)動機控制、線控制動系統(tǒng)及熱管理等領(lǐng)域,符合 AEC-Q100 0級可靠性標(biāo)準(zhǔn)。 ?
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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瑞薩科技是世界十大半導(dǎo)體芯片供應(yīng)商之一,在很多諸如移動通信、汽車電子和PC/AV 等領(lǐng)域獲得了全球最高市場份額。瑞薩科技在2003年4月1日正式成立,以領(lǐng)先的科技實現(xiàn)人類的夢想。結(jié)合了日立與三菱電機在半導(dǎo)體領(lǐng)域上的豐富經(jīng)驗和專業(yè)知識,配合全球二萬七千名員工的無限創(chuàng)…
TP65H100G4LSGB
TP65H100G4LSGB是 Renesas 推出的650V SuperGaN GaN FET ,采用 Gen IV 技術(shù)平臺,結(jié)合高電壓 GaN HEMT 與低電壓 硅MOSFET ,具備優(yōu)異可靠性及性能。產(chǎn)品屬性FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):18.9A(Tc)驅(qū)動…TP65H100G4PS
TP65H100G4PS是 Renesas 推出的650V GaN FET (氮化鎵場效應(yīng)晶體管),采用 Gen IV SuperGaN平臺技術(shù),具有高可靠性、低損耗特性。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):18.9A(Tc)驅(qū)動電壓(最大 Rds On…TP65H035G4YS
TP65H035G4YS 是 Renesas 推出的SuperGaN FET器件,采用 TO-247-4L封裝 ,導(dǎo)通電阻為35mΩ,具備開爾文源極端子設(shè)計。TP65H035G4YS器件結(jié)合了最先進的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術(shù),可提供卓越的可靠性和性能。TP65H035G4YS 具有以下主要特性:第四代技術(shù)符合 JED…TP65H035G4WSQA
TP65H035G4WSQA 650V 35mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 是使用Renesas的 GenIV 平臺構(gòu)建的常閉器件。使用專有技術(shù),從而降低了內(nèi)部封裝電感并簡化了組裝過程。它將最先進的高壓 GaN HEMT 與低壓硅 MOSFET 相結(jié)合,以提供卓越的可靠性和性能。此外,TP65H035G4WSQA還通過了 175C …TP65H070G4RS
TP65H070G4RS 是 Renesas 推出的第四代 SuperGaN 技術(shù)FET器件,采用 TOLT封裝 (頂部散熱型表面貼裝),適用于需要高效熱管理和高可靠性的場景。其主要規(guī)格如下:FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):29A(Tc)驅(qū)…TP65H070G4PS
TP65H070G4PS是一款650V、70mΩ的氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET),采用TO-220封裝,由(Renesas)生產(chǎn)。該器件具有低導(dǎo)通電阻和優(yōu)異開關(guān)性能,適用于高效率電源轉(zhuǎn)換場景。核心參數(shù)FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極…電話咨詢:86-755-83294757
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