商品名稱:傳感器信號調(diào)節(jié)器
品牌:Renesas
年份:25+
封裝:QFN20
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
RAA2S4261B5HNP是(Renesas)推出的汽車壓力傳感器信號調(diào)理芯片,采用 QFN20L 封裝,支持 ASIL C 安全等級,具備 SENT 或 I2C 輸出接口。RAA2S4261B5HNP專為差分橋式傳感器信號處理設計,通過高精度模擬預放大和傳感器零點偏移校正,可適應多種電阻電橋場景。
核心特性
?信號處理?:采用16位 RISC微控制器 實現(xiàn)精準信號調(diào)理計算,并將數(shù)據(jù)存儲于非易失性內(nèi)存中。 ?
環(huán)境適應性?:專為惡劣工況設計,具備高電磁兼容性、強化保護電路及全面診斷功能。
校準支持?:支持線下校準(End-of-Line Calibration),提供 OWI 或I2C接口簡化配置流程。
輸出方式
RAA2S4261B5HNP提供兩種通信接口:
?SENT輸出?:通過單一輸出引腳實現(xiàn)高可靠性數(shù)據(jù)傳輸。
I2C輸出?:支持數(shù)字信號傳輸,兼容主流汽車通信協(xié)議。
RAA2S4261B5HNP器件已通過汽車行業(yè)嚴格認證,適用于壓力傳感器等需要高精度信號調(diào)理的場景。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。
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答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
瑞薩科技是世界十大半導體芯片供應商之一,在很多諸如移動通信、汽車電子和PC/AV 等領域獲得了全球最高市場份額。瑞薩科技在2003年4月1日正式成立,以領先的科技實現(xiàn)人類的夢想。結(jié)合了日立與三菱電機在半導體領域上的豐富經(jīng)驗和專業(yè)知識,配合全球二萬七千名員工的無限創(chuàng)…
TP65H100G4LSGB
TP65H100G4LSGB是 Renesas 推出的650V SuperGaN GaN FET ,采用 Gen IV 技術(shù)平臺,結(jié)合高電壓 GaN HEMT 與低電壓 硅MOSFET ,具備優(yōu)異可靠性及性能。產(chǎn)品屬性FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):18.9A(Tc)驅(qū)動…TP65H100G4PS
TP65H100G4PS是 Renesas 推出的650V GaN FET (氮化鎵場效應晶體管),采用 Gen IV SuperGaN平臺技術(shù),具有高可靠性、低損耗特性。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):18.9A(Tc)驅(qū)動電壓(最大 Rds On…TP65H035G4YS
TP65H035G4YS 是 Renesas 推出的SuperGaN FET器件,采用 TO-247-4L封裝 ,導通電阻為35mΩ,具備開爾文源極端子設計。TP65H035G4YS器件結(jié)合了最先進的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術(shù),可提供卓越的可靠性和性能。TP65H035G4YS 具有以下主要特性:第四代技術(shù)符合 JED…TP65H035G4WSQA
TP65H035G4WSQA 650V 35mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 是使用Renesas的 GenIV 平臺構(gòu)建的常閉器件。使用專有技術(shù),從而降低了內(nèi)部封裝電感并簡化了組裝過程。它將最先進的高壓 GaN HEMT 與低壓硅 MOSFET 相結(jié)合,以提供卓越的可靠性和性能。此外,TP65H035G4WSQA還通過了 175C …TP65H070G4RS
TP65H070G4RS 是 Renesas 推出的第四代 SuperGaN 技術(shù)FET器件,采用 TOLT封裝 (頂部散熱型表面貼裝),適用于需要高效熱管理和高可靠性的場景。其主要規(guī)格如下:FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):29A(Tc)驅(qū)…TP65H070G4PS
TP65H070G4PS是一款650V、70mΩ的氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET),采用TO-220封裝,由(Renesas)生產(chǎn)。該器件具有低導通電阻和優(yōu)異開關(guān)性能,適用于高效率電源轉(zhuǎn)換場景。核心參數(shù)FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極…電話咨詢:86-755-83294757
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