商品名稱:傳感器信號(hào)調(diào)節(jié)器
品牌:Renesas
年份:25+
封裝:SOP8
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
RAA2S4262B5HSP是(Renesas)?推出的一款車規(guī)級(jí)傳感器信號(hào)調(diào)理芯片(SSC),專為差分橋式傳感器設(shè)計(jì),具有高精度和ASIL C功能安全等級(jí)認(rèn)證。該芯片集成高性能模擬前端(AFE),支持電阻橋信號(hào)的精確放大和補(bǔ)償,適配幾乎所有電阻橋類型?。RAA2S4262B5HSP具有16位RISC微控制器,可用于實(shí)時(shí)信號(hào)偏移、靈敏度及溫度漂移的數(shù)字補(bǔ)償?。
核心特性
根據(jù) ISO 26262:2018 ASIL C 標(biāo)準(zhǔn)開發(fā)的產(chǎn)品
差分電阻橋式傳感器輸入,帶可選的片上或外部溫度傳感器 – PTC、NTC、PN 結(jié)和傳感器橋橋租測(cè)溫
1mV/V 至 800mV/V 傳感器量程,分辨率為 12 至 18 位
補(bǔ)償電阻橋傳感器輸入信號(hào)的零漂、增益和高階非線性和溫度系數(shù)
精度:
-40 °C 至 +125 °C 時(shí)為 0.5%%FS
%FS -40 °C 至 +155 °C 時(shí)為 1%
在最快模式下,內(nèi)部輸出更新速率高達(dá) 200μs
符合 SENT 標(biāo)準(zhǔn) SAE J2716 Rev. 4 (APR2016),tick時(shí)間擴(kuò)展至 1μs,從而 SENT 輸出時(shí)間為 282μs(兩個(gè)快速通道)
截止頻率為 10Hz 至 1000Hz 的三階數(shù)字 LPF
快速校準(zhǔn):一次性下線校準(zhǔn)算法可最大限度地降低生產(chǎn)成本
最少的外部元件數(shù)量使傳感器模塊的設(shè)計(jì)具有一流的外形尺寸
符合 AEC-Q100 0 級(jí)要求
工作溫度范圍為 -40 °C 至 +155 °C,且最長(zhǎng)可 100 小時(shí)至 +165 °C
應(yīng)用場(chǎng)景
RAA2S4262B5HSP適用于汽車壓力傳感系統(tǒng)(如制動(dòng)、傳動(dòng)、HVAC)?,尤其適合xEV/EV/FCEV等新能源車型?。
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來(lái)源均可追溯,確保原裝正品。
答:目前我們自營(yíng)代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對(duì)具體品牌型號(hào)來(lái)溝通確認(rèn)。
答:可以通過(guò)網(wǎng)站上詢價(jià),也可以通過(guò)電話以及郵箱咨詢。
答:大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期,您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間,具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉(cāng)庫(kù)、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
瑞薩科技是世界十大半導(dǎo)體芯片供應(yīng)商之一,在很多諸如移動(dòng)通信、汽車電子和PC/AV 等領(lǐng)域獲得了全球最高市場(chǎng)份額。瑞薩科技在2003年4月1日正式成立,以領(lǐng)先的科技實(shí)現(xiàn)人類的夢(mèng)想。結(jié)合了日立與三菱電機(jī)在半導(dǎo)體領(lǐng)域上的豐富經(jīng)驗(yàn)和專業(yè)知識(shí),配合全球二萬(wàn)七千名員工的無(wú)限創(chuàng)…
TP65H100G4LSGB
TP65H100G4LSGB是 Renesas 推出的650V SuperGaN GaN FET ,采用 Gen IV 技術(shù)平臺(tái),結(jié)合高電壓 GaN HEMT 與低電壓 硅MOSFET ,具備優(yōu)異可靠性及性能。產(chǎn)品屬性FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):18.9A(Tc)驅(qū)動(dòng)…TP65H100G4PS
TP65H100G4PS是 Renesas 推出的650V GaN FET (氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管),采用 Gen IV SuperGaN平臺(tái)技術(shù),具有高可靠性、低損耗特性。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):18.9A(Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On…TP65H035G4YS
TP65H035G4YS 是 Renesas 推出的SuperGaN FET器件,采用 TO-247-4L封裝 ,導(dǎo)通電阻為35mΩ,具備開爾文源極端子設(shè)計(jì)。TP65H035G4YS器件結(jié)合了最先進(jìn)的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術(shù),可提供卓越的可靠性和性能。TP65H035G4YS 具有以下主要特性:第四代技術(shù)符合 JED…TP65H035G4WSQA
TP65H035G4WSQA 650V 35mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 是使用Renesas的 GenIV 平臺(tái)構(gòu)建的常閉器件。使用專有技術(shù),從而降低了內(nèi)部封裝電感并簡(jiǎn)化了組裝過(guò)程。它將最先進(jìn)的高壓 GaN HEMT 與低壓硅 MOSFET 相結(jié)合,以提供卓越的可靠性和性能。此外,TP65H035G4WSQA還通過(guò)了 175C …TP65H070G4RS
TP65H070G4RS 是 Renesas 推出的第四代 SuperGaN 技術(shù)FET器件,采用 TOLT封裝 (頂部散熱型表面貼裝),適用于需要高效熱管理和高可靠性的場(chǎng)景。其主要規(guī)格如下:FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):29A(Tc)驅(qū)…TP65H070G4PS
TP65H070G4PS是一款650V、70mΩ的氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET),采用TO-220封裝,由(Renesas)生產(chǎn)。該器件具有低導(dǎo)通電阻和優(yōu)異開關(guān)性能,適用于高效率電源轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。核心參數(shù)FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極…電話咨詢:86-755-83294757
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