歡迎來(lái)到深圳市明佳達(dá)電子有限公司

深圳市明佳達(dá)電子有限公司 供應(yīng)英飛凌GaN產(chǎn)品：GaN雙向開(kāi)關(guān)、GaN控制器、GaN智能器件、GaN晶體管

深圳市明佳達(dá)電子有限公司作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的電子元器件供應(yīng)服務(wù)商，憑借其強(qiáng)大的供應(yīng)鏈網(wǎng)絡(luò)和專(zhuān)業(yè)的行業(yè)服務(wù)能力，為客戶(hù)提供穩(wěn)定可靠的原裝產(chǎn)品。

主營(yíng)產(chǎn)品包括：5G 芯片、新能源IC、物聯(lián)網(wǎng)IC、藍(lán)牙IC、車(chē)聯(lián)網(wǎng)IC、車(chē)規(guī)級(jí)IC、通信IC、人工智能IC，存儲(chǔ)器IC、傳感器IC、微控制器IC、收發(fā)器IC、以太網(wǎng)IC、WiFi芯片、無(wú)線通信模塊、連接器等電子元器件。

供應(yīng)上具有以下核心優(yōu)勢(shì)：

原廠直供與質(zhì)量保證：所有產(chǎn)品均通過(guò)授權(quán)渠道采購(gòu)，確保100%原裝正品，提供完整的原廠批次編號(hào)。

規(guī)模化采購(gòu)與成本優(yōu)化：憑借與多家知名品牌的深度合作及大批量采購(gòu)優(yōu)勢(shì)，能夠顯著降低電子元器件的綜合成本，為客戶(hù)提供極具競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格。

靈活快速的交付能力：深圳中央倉(cāng)庫(kù)與香港保稅倉(cāng)庫(kù)協(xié)同運(yùn)作，支持48小時(shí)快遞配送，緊急訂單可實(shí)現(xiàn)24小時(shí)內(nèi)國(guó)內(nèi)發(fā)貨。

氮化鎵（GaN）

CoolGaN? – 離散器件和集成解決方案，為消費(fèi)電子、工業(yè)和汽車(chē)應(yīng)用提供最高效率和功率密度。

英飛凌GaN雙向開(kāi)關(guān)產(chǎn)品及應(yīng)用

英飛凌CoolGaN?系列中的雙向開(kāi)關(guān)(BDS)產(chǎn)品代表了GaN技術(shù)在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的重要?jiǎng)?chuàng)新方向。英飛凌40V雙向開(kāi)關(guān)器件采用先進(jìn)的GaN-on-Si工藝制造，集成了兩個(gè)高性能GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)，可在單一封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)雙向電流控制，顯著簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)并提高了系統(tǒng)可靠性。這類(lèi)器件具有極低的導(dǎo)通電阻(典型值1.1mΩ~2.3mΩ)和超快的開(kāi)關(guān)速度，能夠支持高達(dá)2MHz的工作頻率，是傳統(tǒng)硅基MOSFET性能的5-10倍，特別適合需要高頻高效運(yùn)作的應(yīng)用場(chǎng)景。

GaN雙向開(kāi)關(guān)的核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)在于其無(wú)體二極管反向恢復(fù)特性。與硅基器件不同，GaN器件在反向?qū)〞r(shí)不會(huì)產(chǎn)生反向恢復(fù)電流，這從根本上消除了傳統(tǒng)MOSFET體二極管反向恢復(fù)帶來(lái)的開(kāi)關(guān)損耗和EMI問(wèn)題。英飛凌的CoolGaN?雙向開(kāi)關(guān)還采用了創(chuàng)新的柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)，確保器件在高頻開(kāi)關(guān)條件下的穩(wěn)定性和可靠性，同時(shí)簡(jiǎn)化了驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)。這些特性使得GaN雙向開(kāi)關(guān)在同步整流、電機(jī)驅(qū)動(dòng)H橋、無(wú)線充電等需要雙向能量流動(dòng)的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

英飛凌GaN控制器與智能器件解決方案

英飛凌的GaN控制器產(chǎn)品線包括獨(dú)立的柵極驅(qū)動(dòng)器和高集成度的智能功率模塊(IPM)，這些器件針對(duì)GaN功率器件的獨(dú)特特性進(jìn)行了優(yōu)化，能夠充分發(fā)揮GaN技術(shù)的高頻高效優(yōu)勢(shì)。特別值得一提的是NV6133A這類(lèi)集成GaN開(kāi)關(guān)和驅(qū)動(dòng)器的智能功率IC，它采用GaNSense?技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了無(wú)損電流采樣和全面的保護(hù)功能，大幅簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)并提升了可靠性。

GaNFast?電源IC是英飛凌GaN控制器產(chǎn)品中的明星系列，如NV6133A芯片內(nèi)部集成了高性能GaN開(kāi)關(guān)管和驅(qū)動(dòng)器，支持10至30V的寬VCC范圍，可編程的開(kāi)啟dV/dt，并提供200V/ns的dV/dt抗擾度7。該器件具有800V的瞬態(tài)電壓等級(jí)和700V的連續(xù)電壓等級(jí)，導(dǎo)通電阻僅為330mΩ，支持高達(dá)2MHz的操作頻率。其集成的GaNSense?技術(shù)提供了短路保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)和自主低電流待機(jī)模式等智能功能，消除了傳統(tǒng)設(shè)計(jì)中取樣電阻的功率損耗，進(jìn)一步提升了系統(tǒng)效率和可靠性。

英飛凌GaN晶體管系列

英飛凌的GaN晶體管產(chǎn)品線覆蓋了從中壓到高壓的廣泛應(yīng)用需求，包括CoolGaN? G3(中壓)、CoolGaN? G5(高壓)以及工業(yè)用IGT系列在內(nèi)的全系列GaN晶體管產(chǎn)品。這些器件采用先進(jìn)的8英寸晶圓工藝制造，大幅提升了功率密度、開(kāi)關(guān)頻率和熱管理性能，適用于從消費(fèi)電子到工業(yè)電源的前沿應(yīng)用。

CoolGaN? G3系列針對(duì)中壓應(yīng)用優(yōu)化，電壓范圍覆蓋40V至120V，采用標(biāo)準(zhǔn)化的RQFN 5x6和3.3x3.3封裝，與傳統(tǒng)的硅基MOSFET引腳兼容，便于客戶(hù)進(jìn)行設(shè)計(jì)遷移。該系列器件具有極低的導(dǎo)通電阻(1.1mΩ~2.3mΩ)和優(yōu)異的熱循環(huán)穩(wěn)定性，特別適合高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用。在USB-C快充設(shè)計(jì)中，G3系列GaN晶體管可實(shí)現(xiàn)95%以上的效率，同時(shí)將電源體積縮小50%以上；在電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電信電源中，其高頻特性有助于減小濾波元件體積并提升控制帶寬。

CoolGaN? G5系列是英飛凌針對(duì)高壓應(yīng)用推出的旗艦產(chǎn)品，電壓等級(jí)達(dá)650V，采用創(chuàng)新的GIT(柵極注入晶體管)技術(shù)，相比前代產(chǎn)品效率提升3%~5%。G5系列GaN晶體管的開(kāi)關(guān)損耗極低，支持?jǐn)?shù)百kHz至MHz級(jí)的工作頻率，同時(shí)具有出色的dv/dt抗擾度和短路耐受能力。在光伏逆變器應(yīng)用中，G5器件可實(shí)現(xiàn)超過(guò)99%的轉(zhuǎn)換效率，顯著提升發(fā)電系統(tǒng)的能量產(chǎn)出；在服務(wù)器電源和電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電機(jī)(OBC)中，其高功率密度特性有助于實(shí)現(xiàn)更緊湊的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。