商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-HDSOP-10
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:4400 件
IPDD60R050G7是英飛凌現(xiàn)創(chuàng)新推出雙 DPAK (D-DPAK),這是首款頂部冷卻 SMD 封裝,主要面向大功率 SMPS 應(yīng)用,如 PC 電源、太陽能、服務(wù)器和電信設(shè)備等應(yīng)用。
特性
提供一流的 FOM RDS(on) x Eoss 和 RDS(on) x Qg
創(chuàng)新的頂部散熱理念;
內(nèi)置第 4 引腳開爾文源配置和低寄生源電感;
超過 2000 周期的 TCOB 能力,符合 MSL1 標(biāo)準(zhǔn),完全無鉛等
IPDD60R050G7產(chǎn)品屬性:
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: HDSOP-10
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續(xù)漏極電流: 47 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 50 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 68 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 278 W
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降時間: 3 ns
上升時間: 6 ns
典型關(guān)閉延遲時間: 72 ns
典型接通延遲時間: 22 ns
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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