商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-WHSON-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
功率 MOSFET IQDH45N04LM6SC 具有 0.45 mOhm 的低 RDS(on),并具有出色的散熱性能,便于管理功率損耗。此外,與包覆封裝相比,雙面冷卻封裝的耗散功率可提高五倍。
產(chǎn)品特性
最先進的 40 V 硅技術
出色的 FOM
改進的熱性能
超低寄生
最大化芯片/封裝比
產(chǎn)品屬性
制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS? 6
FET 類型: N 通道
技術: MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss): 40 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :58A (Ta), 611A (Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值): 0.49 毫歐 @ 50A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值): 2.3V @ 1.449mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值): 78 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值): 12000 pF @ 20 V
功率耗散(最大值): 3W(Ta),333W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ)
應用領域
低壓驅(qū)動
電動工具
電源
服務器電源
計算和數(shù)據(jù)存儲
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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