商品名稱:IMBG120R045M1H
數(shù)據(jù)手冊(cè):IMBG120R045M1H.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-263-7
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IMBG120R045M1H是采用D2PAK-7L (TO-263-7)封裝的1200 V, 45 mΩ CoolSiC? SiC MOSFET,它基于先進(jìn)的溝槽工藝,該工藝經(jīng)過優(yōu)化,兼具性能與可靠性。它采用改良版1200V SMD封裝,將CoolSiC技術(shù)的低功耗特性與.XT互聯(lián)技術(shù)相結(jié)合,可在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、充電模塊以及工業(yè)電源等應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最高效率和被動(dòng)制冷。
產(chǎn)品屬性
系列: CoolSiC?
FET 類型: N 通道
技術(shù): SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss): 1200 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id): 47A(Tc)
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值): 63 毫歐 @ 16A,18V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值): 5.7V @ 7.5mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值): 46 nC @ 18 V
Vgs(最大值): +18V,-15V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值): 1527 pF @ 800 V
FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)
功率耗散(最大值): 227W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型: 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝: PG-TO263-7-12
封裝/外殼: TO-263-8,D2Pak(7 引線+接片),TO-263CA
基本產(chǎn)品編號(hào): IMBG120
優(yōu)勢(shì)
提高效率
實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率
增加功率密度
減少冷卻工作
降低系統(tǒng)復(fù)雜程度和成本
SMD封裝,無需增設(shè)散熱器,即可實(shí)現(xiàn)自然對(duì)流冷卻,因此可直接集成到PCB中
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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S29GL01GT10FHI010 是 一款 1Gb(128M 8 位)并行 NOR Flash 存儲(chǔ)器,采用 64-FBGA(1311mm) 封裝。BSC059N04LS6
BSC059N04LS6 采用英飛凌第六代 OptiMOS? 工藝,在 5 mm 6 mm 的 TDSON-8 表面貼裝封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)極低導(dǎo)通電阻與低柵極電荷,專為高效率 DC-DC 降壓、同步整流及電機(jī)驅(qū)動(dòng)而優(yōu)化。IPLU300N04S4-R8
IPLU300N04S4-R8 基于英飛凌 OptiMOS? 5 技術(shù),專為高電流、高密度汽車應(yīng)用而設(shè)計(jì)。電話咨詢:86-755-83294757
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