商品名稱:碳化硅 MOSFET 單管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:TO-263-7
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
IMBG40R025M2H 是采用 D2PAK-7 (TO-263-7) 封裝的 CoolSiC? MOSFET 400 V G2。
CoolSiC? MOSFET 400 V G2 將高堅(jiān)固性與超低開關(guān)損耗和導(dǎo)通電阻結(jié)合在一起,同時(shí)提高了系統(tǒng)成本。
其開發(fā)目的是在 2 級(jí)和 3 級(jí)硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)渲刑峁┏錾墓β拭芏群拖到y(tǒng)效率。
特性描述
與 650 V SiC MOSFET 相比,F(xiàn)OM 更好
具有低 Qfr 的快速換向穩(wěn)健二極管
低 RDS(導(dǎo)通)溫度依賴性
柵極閾值電壓 VGS(th) = 4.5 V
支持單極驅(qū)動(dòng)(VGSoff=0)
100% 通過雪崩測(cè)試
開關(guān)速度可控性高
高 dV/dt 工作期間過沖小
.XT 互連技術(shù)
一流的熱性能
優(yōu)勢(shì)
系統(tǒng)效率高
高功率密度設(shè)計(jì)
設(shè)計(jì)穩(wěn)健性高
減少 EMI 濾波
可用于硬開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
應(yīng)用領(lǐng)域
電機(jī)控制
可再生能源
電池管理系統(tǒng) - 電池保護(hù)
服務(wù)器電源
音頻放大器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…BTS3410G
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BSP613P 是英飛凌 SIPMOS 系列的 P 溝道增強(qiáng)型小信號(hào) MOSFET,采用溝槽(Trench)工藝制造,專為 60 V 中壓、2.9 A 級(jí)別的負(fù)載開關(guān)、反向極性保護(hù)及高側(cè)驅(qū)動(dòng)而設(shè)計(jì)。S29GL01GT10FHI010
S29GL01GT10FHI010 是 一款 1Gb(128M 8 位)并行 NOR Flash 存儲(chǔ)器,采用 64-FBGA(1311mm) 封裝。BSC059N04LS6
BSC059N04LS6 采用英飛凌第六代 OptiMOS? 工藝,在 5 mm 6 mm 的 TDSON-8 表面貼裝封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)極低導(dǎo)通電阻與低柵極電荷,專為高效率 DC-DC 降壓、同步整流及電機(jī)驅(qū)動(dòng)而優(yōu)化。IPLU300N04S4-R8
IPLU300N04S4-R8 基于英飛凌 OptiMOS? 5 技術(shù),專為高電流、高密度汽車應(yīng)用而設(shè)計(jì)。電話咨詢:86-755-83294757
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